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红外成像显微镜参数_optotherm红外热显微镜-立特为智能话：15219504346 （温先）
关键词： Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system
1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。
未封器件
封器件
2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位
lock-in相
封芯片漏
GAN-SIC器件
3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位
FPC缺陷
容缺陷
4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）
5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域
在集成路操期间，内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身，并且热从接部向外传导到封装中。因此，器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。
芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具（如 图像序列）可于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接的完整性。
OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统，专为子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN术，使LWIR镜头，仍能将将温度分辨率升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化，具有非常易和实，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频
LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表（独理），在深圳设立optotherm红外热应实验室，负责该设备的演示和售，如有相关应，可免费评估测试。
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红外热成像仪的构成
红外热像仪的构成5大部分：
1、红外镜头: 接收和汇聚被测物体射的红外辐射；
2、红外测器组件: 将热辐射型号变成号；
3、子组件: 号进处理；
4、显示组件: 将号转变成可见光图像；
5、: 处理采集到的温度数据，转换成温度读数和图像。
红外热成像仪的分类
红外热像仪照工温度分为冷型和非冷性
冷式热成像仪：其测器中集成了一个低温冷器，这种装置可以给测器降温度，这样是为了使热噪声的号低于成像号，成像质量更好。
非冷式热成像仪：其测器不需要低温冷，采的测器通常是以微测辐射热计为础，主要有多晶硅和氧化钒两种测器。
红外热像仪照功能分为测温型和非测温型
测温型红外热像仪：测温型红外热像仪，可以直接从热图像读物体表面任意点的温度数值，这种系统可以为无损检测仪器，但是有效距离比较短。
非测温型红外热像仪：非测温型红外热像仪只能观察到物体表面热辐射的差异，这种系统可以为观测工具，有效距离比较长。
红外热成像仪的特点
与一般检测设备相比，红外热成像仪具有以下鲜明特点：
1、热成像仪可以运动物体进测温，而普通测温仪表很难做到这一点；
2、可以借助显微镜头几微甚更小的目标进测温；
3、可以速地设备进热断；
4、不测量的温度产干扰；
5、测温范围大，根据型号的不同，一般可测量0℃—2000℃的范围；
6、灵敏度高，根据型号不同，可分辨0.1℃甚更小的温差；
7、使安全，由于测量的非接触性，使得热成像仪使起来非常安全。
红外热成像仪的展历程
1800年，英国天文学F.W.赫歇耳现了红外线。
世纪70年，热成像系统和荷耦器件被成功应。
世纪末，以焦平面阵列（FPA）为表的红外器件被成功应。
红外术的核心是红外测器，红外测器其特点可分为四：
{dy}（1970s－80s）：主要是以元、多元器件进光机串/并扫描成像；
第二（1990s－200